Αντιδραστήρας Εγχάραξης με πλάσμα Ακρίβειας Ατομικού στρώματος

Το σύστημα εγχάραξης με πλάσμα ακρίβειας ατομικού στρώματος θα επιτρέψει την εγχάραξη σε λειτουργία ICP, RIE και ALE μετάλλων, οξειδίων, πυριτίου και πολυμερών για την κατασκευή μικρο/νανοσυστημάτων. Έμφαση δίνεται στα μέταλλα και την εγχάραξη στην νανοκλίμακα, ωστόσο θα παρέχεται επίσης η δυνατότητα βαθιάς εγχάραξης πυριτίου και πολυμερών.

Μερικά Βασικά χαρακτηριστικά του συστήματος:

• Ένας θάλαμος με δυνατότητα ICP, RIE, ALE τόσο για διαβρωτική χημεία αερίων για εγχάραξη μετάλλων όσο και για βαθιά εγχάραξη Si και πολυμερών για MEMS.
• Ισχύς ραδιοσυχνοτήτων πόλωσης τουλάχιστον 300W.
• Για το σύστημα/θάλαμο ALE, δυνατότητα ελέγχου της πόλωσης σε χαμηλή ισχύ εντός τουλάχιστον 3% της εφαρμοσμένης τιμής για τιμές ισχύος υψηλότερες από 50 W. Για τιμές ισχύος από 1-50W δυνατότητα ελέγχου με ακρίβεια 1W, ώστε η πόλωση να ελέγχεται με ακρίβεια στην περιοχή 1V.
• ICP RF ισχύς τουλάχιστον 1000W.
• Τα μέταλλα προς εγχάραξη είναι: Al, Cr, Si και poly/a-Si, Cu, μέταλλα πρόσφυσης όπως Ti, Cr και μέταλλα φραγμού όπως Ni, Co, Ru. Ευγενή μέταλλα όπως Au, Pt, Pd, Ag.
• Οξείδια προς εγχάραξη: SiO2, ZnO, TiO2, SnO, οξείδιο του κασσιτέρου του ινδίου ITO, CrO, NiO, Al2O3 (ALD εναποτίθεται γ-Al2O3), HfO2, ZrO2, Y2O3, Ta2O5, WO3, MoO3, και καρβίδιο του πυριτίου SiC.
• Νιτρίδια, σουλφίδια και άλλες ενώσεις: Si3N4, TaN, TiN, AlN, HfN, GaN, AlGaN, MoS2, WS2, MoTe2, MoSe2.
• Πολυμερή φιλμ και πολυμερικά πλακίδια, καθώς και εγχάραξη οργανικών υλικών.

[ https://plasma.oxinst.com/products/ale/plasmapro-100-ale ]